SJ 50597.33-1995 半导体集成电路.JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范
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ID： |
28E14C0E64D144768254D4632BD90DBC |
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0.8 |
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页数： |
25 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,:FL 5962 SJ 50597/33-1995,半导体集成电路,JB 200型CMOS双路单刀单掷模拟,开关详细规范,Semiconductor integrated circuits,Detail specification of type JB 200 CMOS,dual SPST analog switch,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体集成电路,JB 200型CMOS双路单刀单掷模扱开关 sj 50597/33-1995,详细规范,Semiconductor integrated circuits,Detail specification of type JB 200 CMOS,dual SPST analog switch,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了半导体集成电路JB 200型CMOS双路单刀单掷模拟开关（以下简称器件）,的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、功率和热特性分类,1.3.1 器件编号,器件编号应按GJB 597《微电路总规范》第3.6.2条的规定,1.3.1.1 器件型号,器件型号如下:,器件蟹号器件名称,JB 200 CMOS双路单刀单掷模拟开关,1.3.1.2 器件等级,器件等级应为GJB 597第3.4条规定的B级和本规范规定的B（级,1.3.1.3 封装形式,封装形式应按GB 7092《半导体集成电路外形尺寸》的规定,封装形式如下:,类 型外形代号,D D14S3（陶甕双列封装）,J J14S3（陶甕熔封双列封装）,T T1QB4（带支柱、金属圆形封装）,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布199542-0I 实施,—1 一,SU 50597/33-1995,1.3.1.4 功率和热特性,功率和热特性如下:,封装形式,最大允许功耗(mW),Ta=125V,最大值(七/W),R 賦 j"0 Rメ1jf),01453 4的35 120,J14S3 400 35 120,T10B4 350 40 140,1.4 绝对最大额定值,绝对最大额定值如下:,项 目符号,数值,单位,最小最大,V+至Vー电源电压(V+-V」% — 40 V,数字输入电压VlD -03 V+ V,模摭输入电压匕V- -2 V+ +2 V,最大电流,S或D瑞,/jn*x,一20 mA,其它端— 30 mA,贮存温度Ts -65 150 t,结 果T, 一175 V,引线耐痺接温度(1%) 几— 300 c,1.5 推荐工作条件,推荐工作条件如下:,正电源电压;V+=15V,负电源电压:y 一 = -i5v,输入髙电平电压:％Hユ2.4V,输入低电平电压:,工作环境温度:- 553!V式1251c,2引用文件,GB 3431.1—86,GB 3431.2—86,半导体集成电路文字符号电参数文字符号,半导体集成电路文字符号引出端功能符号,GB 4590—84 半导体集成电路机械和气候试睑方法,GB/T 7092—93 半导体集成电路外形尺寸,GJB 548—88,GJB 597—88,GJB 1649—93,微电子器件试验方法和程序,微电路总规范,电子产品防静电放电控制大纲,3要求,2,下载,SJ 50597/33-1995,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 597和本规范的规定,本规范规定和Bi级器件仅在产品保证规定的筛选、鑒定和质量一致性检验的某些项目和,要求不同于B级,3.2 设计结构和外形尺寸,设计结构和外形尺寸应符合GJB 597和本规范的规定,3.2.1 引出端排列,引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图,a. D14S3J14S3引出端排列:,b. T10B4引出端排列:,3.2.2 功能表,3,SJ 50597/33-1995,功能表如下:,输入电压开关状态,2.4V
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